GB/T11072-2009锑化铟多晶、单晶及切割片

标准简介：本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

标准号：GB/T 11072-2009

标准名称：锑化铟多晶、单晶及切割片

英文名称：Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 11072-1989

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

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